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商业质量评估 · 2026-08-18 | 返回报告目录

拓荆科技(688072.SH)

各归其根 · 688072.SH · 半导体设备 / 薄膜沉积
Report
2026-08-18
Market
科创板
Industry
半导体设备 / 薄膜沉积
Ticker
688072
A
展望:正面 | 护城河:极强
国内薄膜沉积设备龙头,PECVD/ALD/混合键合三线齐发,订单锁远期+先进制程绑定,A。
5Y Avg ROE
15.77%(2025加权;近三年快速提升)
护城河评级
极强
可持续性
强(先进存储+HBM/3D NAND+先进逻辑多场景共振)
管理层评价
稳定(创始团队深耕薄膜沉积设备十余年)
周期性
高(半导体设备强周期)
资本强度
高(研发+产线+验证投入大)
进入壁垒
极高(PECVD寡头壁垒+HBM/3D NAND先进制程绑定+认证周期长)
优势存在性
PECVD国内绝对龙头、ALD三倍速放量、混合键合先进封装卡位、110亿在手订单

一、业务画像:国内薄膜沉积设备绝对龙头

拓荆科技(688072.SH)是国内技术领先的高端半导体设备供应商,专注薄膜沉积设备与三维集成设备的研发、生产与销售,主力产品包括 PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、ALD(原子层沉积)、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD、混合键合(Hybrid Bonding)等系列。客户覆盖中芯国际、长江存储、长鑫存储、华虹、粤芯等国内主流晶圆厂。

  • 2025 年营收 65.19 亿元(同比 +58.87%),归母净利 9.27 亿元(同比 +34.67%),扣非 7.23 亿元(同比 +103.05%)——扣非增速远超归母增速,反映主业经营性盈利能力大幅提升。
  • 三大产品线齐发:PECVD 51.42 亿(+75.27%)、ALD 3.01 亿(+191.82%)、混合键合 1.36 亿(+41.92%)。
  • 订单端扎实:合同负债 48.52 亿元(同比 +62.66%),在手订单约 110 亿元,为 2026-2027 收入持续增长奠定基础。
公司累计申请专利 2,140 项(含 PCT)、获得授权专利 707 项(其中发明专利 362 项),PECVD/ALD/SACVD 等薄膜设备可支撑超 100 种工艺应用、累计出货反应腔超 3,400 个、进入约 100 条芯片生产线、客户端累计流片量突破 4.57 亿片。

二、盈利质量:扣非翻倍,订单锁远期

指标2025年评价
营业总收入65.19亿(同比+58.87%)高速增长
归母净利润9.27亿(同比+34.67%)稳健增长
扣非净利润7.23亿(同比+103.05%)经营性盈利翻倍
销售毛利率34.95%(同比-6.74pct)受产品结构影响
加权ROE15.77%(同比+1.67pct)提升
资产负债率64.11%偏高(订单预收驱动)
经营现金流净额36.33亿同比由负转正+39亿
净利现金含量392%极佳
研发投入8.59亿(占营收13.18%,+13.66%)高强度

盈利质量的核心亮点是 现金流:2025 经营现金流 36.33 亿、净利现金含量 392%——账面利润的近 4 倍转化为真金白银,主因合同负债(订单预收款)从 2024 年末 29.83 亿暴增至 48.52 亿,订单高速涌入使公司获得"先收钱后发货"的强势议价能力。资产负债率 64.11% 偏高主因合同负债大,并非真实偿债压力(合同负债是无息"良性负债")。

毛利率同比下滑 6.74pct 主因先进制程设备前期验证成本与新机型爬坡影响,并非主业承压;扣非净利 +103% 是经营性盈利能力的真实写照。

三、护城河:PECVD 寡头 + HBM/3D NAND 先进制程绑定

  1. PECVD 国内绝对龙头:PECVD 系列设备 51.42 亿(+75%),PF-300T Plus 和 PF-300M 新型设备平台 + pX 和 Supra-D 新型反应腔覆盖 ONO 叠层、ACHM、Bianca 等先进工艺,是国内极少数能进入先进存储与先进逻辑先进制程的薄膜沉积供应商。
  2. ALD 三倍速放量:ALD 3.01 亿(+191.82%),PE-ALD SiO₂/SiN/SiCO 多款设备量产规模快速提升,Thermal-ALD 首台 TiN 工艺产品通过客户验证——ALD 是 5nm 以下先进制程与 HBM 堆叠的关键设备,国产替代空间极大。
  3. 混合键合先进封装卡位:1.36 亿(+41.92%),晶圆对晶圆混合键合持续获得订单、多台通过客户验证;首台晶圆对晶圆熔融键合通过客户验证,是 HBM 与 Chiplet 先进封装的核心设备。
  4. 客户绑定深:前五客户占比 79.15%,国内龙头晶圆厂(中芯/长存/长鑫/华虹)合作稳定,且成功导入多家新客户,先进存储与先进逻辑两端通吃
  5. 研发与认证壁垒:研发投入 8.59 亿(占营收 13.18%)、研发人员持续扩张;累计专利 2,140 项、反应腔累计出货 3,400+、客户端流片 4.57 亿片——新进入者短期无法在产品广度、量产稳定性、客户信任上追赶。

四、关键变量:行业周期、先进制程渗透与海外管制

  • 半导体设备强周期:国内晶圆厂资本开支节奏决定订单斜率;存储与逻辑扩产若放缓,设备价格与需求同步承压。
  • 先进制程渗透节奏:ALD/混合键合在 HBM/3D NAND 的渗透率仍处早期,需 2-3 年大规模量产验证;若客户扩产节奏不及预期,设备出货可能递延。
  • 海外零部件与材料依赖:射频电源、真空阀、特种气体等核心零部件与材料部分依赖海外(应用材料/泛林/东京电子供应链),出口管制收紧或扰动交付。
  • 毛利率波动:2025 毛利率同比下滑 6.74pct 主因先进制程设备验证爬坡成本与新机型占比提升,需观察 2026-2027 规模效应释放。
  • 客户集中度:前五客户占比 79.15%,单一大客户资本开支波动会放大业绩弹性。

五、结论:A,各归其根的薄膜沉积锚

拓荆科技是 A 股半导体设备板块"先进制程绑定最深、订单确定性最高"的标的之一:PECVD 国内绝对龙头、ALD 三倍速放量、混合键合先进封装卡位,合同负债 48.52 亿 + 在手订单 110 亿锁至 2027,"各归其根"属性极强。

"各归其根"的框架要求如实标注瑕疵:行业强周期、先进制程渗透节奏、海外零部件依赖、毛利率波动与高客户集中度,是 A 而非 A+ 的全部理由(需待多季度连续验证规模效应)。综合给予 A(优秀)——薄膜沉积稀缺平台+先进制程深度绑定+订单锁远期,是国产替代浪潮中技术壁垒与确定性兼具的核心标的。